В России появилось устройство для создания имплантеров: они нужны в микроэлектронике
За стенами Института ядерной физики (ИЯФ) СО РАН в Новосибирске разработали аппарат для создания сильноточных ионных имплантеров, которые используются в отрасли микроэлектроники. Сообщается, что это первое устройство подобного типа в истории нашей страны, и создание его российскими специалистами — ещё один шаг к независимости в области электроники.
Дело в том, что в последние годы микроэлектронная промышленность всего мира развивается благодаря имплантерным технологиям. С помощью подобных установок выполняется процесс внедрения разного рода легирующих добавок в поверхностью кремниевой пластины. Это могут быть бор, фтор или мышьяк — их добавляют, чтобы получить структуры с заданными характеристиками. Называются такие установки «ионными имплантерами».
«Специалисты Института ядерной физики им. Г. И. Будкера СО РАН (ИЯФ СО РАН) создали прототип каспового, то есть имеющего остроконечную структуру магнитного поля, ионного источника. Первые эксперименты показали, что устройство действительно позволяет работать с ленточными ионными пучками любой ширины, что обеспечивает качественное нанесение примесей, и подходит для создания сильноточных имплантеров необходимых в микроэлектронике», — сообщили в пресс-службе ИЯФ.
Специально сформированная в 2024 году команда учёных создала ионно-оптическую систему для формирования ленточного пучка ионов. Как уже потом пояснили авторы проекта, изначально они ставили перед собой цель выяснить, может ли источник подобного типа равномерно испускать электроны с поверхности твёрдого тела при бомбардировке последнего ионами.
«Для такого измерения мы разработали и изготовили измерительное устройство, профилометр, и провели измерение с пучком ионов аргона. При этом были исследованы различные режимы работы источника. Получен прекрасный результат: эмиссия вдоль щели равномерна, и это открывает возможность разработки такого источника с любой шириной ленточного пучка. Направление дальнейшей разработки каспового источника зависит от конкретных требуемых параметров ионного пучка», — пояснил разработчик Сергей Константинов.