Научный семинар, посвященный EUV-литографии, прошел в кампусе МГУ в Сарове

Научный семинар, посвященный EUV-литографии, прошел в кампусе МГУ в Сарове. Об этом сообщили в Национальном центре физики и математики.

Как рассказал заведующий отделом многослойной рентгеновской оптики Института физики микроструктур (ИФМ) РАН Николай Чхало, в России существуют критические технологии, позволяющие разрабатывать и производить литографическое оборудование. Например, сверхточная рентгеновская оптика (аберрации ≤1 нм), экспериментальные образцы источников рентгеновского излучения и масок, прототип микроскопа для масок в EUV-диапазоне.

Также ИФМ предложил проект высокопроизводительного рентгеновского литографа для производства микросхем по передовым технологическим нормам на основе источника излучения с длиной волны 11,2 нм. Уже есть экспериментальные результаты, указывающие на перспективы создания такого источника излучения на основе ксенона. Под него была разработана оптика с высоким коэффициентом отражения – рутениево-бериллиевые зеркала. Эта оптика примерно в 1,5 раза эффективнее зарубежных аналогов.

Планируется, что проект завершится к 2030 году. На первом этапе (2023-2024 гг.), после доработки необходимых критических технологий, ученые планируют создать альфа-литограф, который станет прототипом для отработки операций всего технологического цикла. Реализация всего проекта позволит наладить в России производство литографов, необходимых компонентов и систем для отечественных фабрик производства микросхем.

Ранее нижегородские ученые представили свои проекты в рамках научной программы Национального центра физики и математики.

Также напомним, что аудитория имени физика-теоретика Валерия Рубакова открылась в саровском филиале МГУ.