Всероссийская научно-техническая конференция памяти профессора Билалова прошла в ДГТУ
МАХАЧКАЛА, 23 ноября – РИА «Дагестан». Всероссийская НТК «Полупроводниковые материалы в современной микро- и наноэлектронике», посвященная памяти д.ф.-м.н., профессора Билалова Билала Аруговича, прошла в ДГТУ. Об этом информагентству сообщили в пресс-службе Даггостехуниверситета.
«Фестиваль науки ДГТУ - 2020 проходит с 23 ноября по 5 декабря в Дагестанском государственном техническом университете, в рамках которого запланировано более 30 мероприятий, часть из которых носит всероссийский и региональный уровень. Старт данному двухнедельному марафону дала Всероссийская научно-техническая конференция “Полупроводниковые материалы в современной микро- и наноэлектронике”, посвященная памяти д.ф.-м.н., профессора Билалова Билала Аруговича, который многие годы возглавлял НИИ “Микроэлектроники и нанотехнологий” технического университета», – говорится в сообщении.
В конференции, проходящей 23 и 24 ноября в очно-дистанционном формате, принимают участие представители ведущих вузов России, таких как: Кабардино-Балкарский государственный университет имени Х.М. Бербекова (г. Нальчик), Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)(г. Москва), Национальный исследовательский Мордовский государственный университет имени Н.П. Огарева (г. Саранск), Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС» (г. Москва), Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» (г. Москва), Объединенный институт высоких температур, (г. Москва), Объединенный институт ядерных исследований (ОИЯИ)(г. Дубна), Пензенский государственный университет (г. Пенза), Приднестровский государственный университет имени Т.Г. Шевченко (г. Тирасполь), Северо-Кавказская государственная академия (г. Черкесск), Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» имени Ульянова (Ленина) (г. Санкт-Петербург), Университет Авейру (г. Авейру, (Португалия)), Чеченский государственный университет (г. Грозный).
Открыл пленарное заседание проректор по научной и инновационной деятельности ДГТУ, к.т.н., доцент Гамид Ирзаев. Поприветствовав участников конференции, он ознакомил присутствующих с программой фестиваля, а также пригласил всех желающих ознакомиться с экспозицией, развернутой в музейно-выставочном комплексе ДГТУ, разработок ученых и молодых исследователей ДГТУ, которая будет функционировать все время работы фестиваля. На экспозиции представлены запатентованные достижения в виде макетов, моделей и действующих образцов, реализованных в области машиностроения, медицинского приборостроения, IT-технологий, микроэлектроники, нефтегазовой отрасли, пищевой промышленности и строительства.
Со словами благодарности в адрес всех участников мероприятия, посвященного светлой памяти доктора физико-математических наук, профессора Билала Билалова, трудившегося на благо университета с 1976г, выступил ректор ДГТУ Нурмагомед Суракатов.
Отметив, что именно микро- и наноэлектроника на сегодняшний день охватывают практически все направления развития и сферы жизнедеятельности человека, начиная с космоса и топливно-энергетического комплекса и заканчивая иными разработками, глава вуза подчеркнул, что ключевой задачей конференции является укрепление междисциплинарных связей в научном сообществе, активное вовлечение в научный процесс магистрантов, аспирантов, содействие интеграции науки и промышленности по созданию наукоемких полупроводниковых материалов для микро- и наноэлектроники.
Первым с докладом, посвященным современным возможностям сканирующей зондовой микроскопии: от изучения структур микро и наноэлектроники до медицинской диагностики, выступил президент Нанотехнологического общества России, д.т.н., профессор Виктор Быков. В своем выступлении он рассказал о преимуществах этих уникальных по своим возможностям группы приборов, позволяющих достигать увеличения достаточного, чтобы рассмотреть отдельные молекулы и атомы, при этом имеется возможность изучать объекты, не разрушая их, определяющих перспективы их применения в медико-биологических исследованиях.
Об одной возможности уточнения механизма орбитального и спинового упорядочения в янтеллеровских кристаллах говорил член-корреспондент РАЕ, профессор кафедры общеинженерных и естественнонаучных дисциплин ФБГОУ ВО «Северо–Кавказская государственная академия» г.Черкесск, д.ф.-м.н. Хиса Борлаков.
Им было отмечено, что орбитальное упорядочение по вибронному механизму, предложенному еще Яном и Теллером в 1937 г. не согласуется с трансформационными свойствами критического параметра порядка, описывающего орбитальное упорядочение. А механизм спин-орбитального упорядочения, предложенный Гуденафом и механизм суперобменного упорядочения, предложенный Кугелем и Хомским, непротиворечивым образом вписываются в схему термодинамической теории Ландау, описывающей орбитальное, зарядовое и спиновое упорядочение в кристаллах, содержащих 3d-ионы с вырожденными орбитальными состояниями. В его докладе особенности проявления этих двух механизмов были рассмотрены на примере качественного анализа структурно-магнитной фазовой диаграммы твердого шпинельного раствора гаусманит-медный феррит CuCr2xFe2(1-x) O4.
Научный сотрудник Объединенного института ядерных исследований (ОИЯИ), г. Дубна Владимир Кручонок выступил с докладом «Радиационная стойкость полупроводниковых детекторов GaAs:Cr к облучению электронами и быстрыми нейтронами»
О преимуществах, этапах развития и перспективных направлениях радиофотоники, являющейся основой современной высокоскоростной связи, в особенности оптоволоконных сетей, а также радиолокационных комплексов различного применения, рассказал зам директора Института функциональной ядерной электроники, с.н.с НИЯУ «МИФИ» Александр Гусев.
Далее с докладом «Диэлектрические свойства и переменная проводимость керамики Bi1-XSmXFeO3» выступил представитель Дагестанского государственного университета Нариман Алиханов.
Представитель Дагестанского государственного технического университета Тимур Гаджиев в своем выступлении подробно остановился на комбинационном рассеянии пленок CuIn0.95Ga0.05Se2, полученных методом селенизации.
Завершилось пленарное заседание докладом «Радиационная стойкость карбида кремния и приборов на его основе», который представил Александр Лебедев, Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина), г. Санкт-Петербург.